紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測工藝的應用
日期：2025-07-01 00:06
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摘要：
紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測工藝的應用
------功率器件散熱問題的解決方案
隨著世界各國對節能減排的需求越來越迫切，如何降低電子電器產品的高能耗成為眼下的熱點話題之一。而要想實現家用電器等電子電器產品的節能降耗，功率半導體是不可或缺的元器件產品，如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）和FRD（快恢復二極管）等均屬于該領域的重要產品。作為半導體產業中僅次于大規模集成電路的另一大分支，功率半導體在降低電路損耗和提高電源使用效率中，在信息技術與先進制造之間發揮著重要的橋梁作用。
功率半導體器件正從傳統的工業控制和4C領域向新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多產業邁進。當前行業內主流公司在產品開發上越來越多體現出小型化、高可靠的特點，此外采用先進封裝技術和新型SiC、GaN材料也是主要關注對象。
產品開發關注可靠性與散熱性
家電中應用的功率半導體，器件小型化、更高可靠性和良好散熱性將是非常重要的特性。
“如何在保證溫升小（功耗小）的基礎上，實現更高的能源轉換效率是功率半導體技術開發的主題。”而功率半導體在家電中應用，小型化將是一個非常重要的特性。為此，很多功率半導體企業近年來在產品的小型化上，都下足了功夫。以改善關斷損耗對飽和壓降的折中比例，提高功率半導體的性能，減少電力損耗，達到節能效果。
1，降低熱阻
（1）熱阻Rth定義：器件工作時產生的熱量向外界散發的能力，℃/ W。即當器件消耗掉1W功率時其自身溫度升高的度數。
熱阻大小是代表功率器件品質優劣的一個重要參數。
（2）降低器件發熱量的三個基本途徑：
A， 優化電路設計，避免器件工作時進入放大區域，減少功率損耗；
B， 提高器件散熱能力，避免器件發熱失效；
C， 提高器件電流性能，降低相關飽和壓降。
在電路設計和芯片工藝都已經定型的條件下，提高器件散熱能力是避免器件發熱失效的**手段，重要途徑就是盡量降低器件的熱阻。
紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測工藝上的應用----
功率器件散熱問題的解決方案
------功率器件散熱問題的解決方案
隨著世界各國對節能減排的需求越來越迫切，如何降低電子電器產品的高能耗成為眼下的熱點話題之一。而要想實現家用電器等電子電器產品的節能降耗，功率半導體是不可或缺的元器件產品，如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）和FRD（快恢復二極管）等均屬于該領域的重要產品。作為半導體產業中僅次于大規模集成電路的另一大分支，功率半導體在降低電路損耗和提高電源使用效率中，在信息技術與先進制造之間發揮著重要的橋梁作用。
功率半導體器件正從傳統的工業控制和4C領域向新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多產業邁進。當前行業內主流公司在產品開發上越來越多體現出小型化、高可靠的特點，此外采用先進封裝技術和新型SiC、GaN材料也是主要關注對象。
產品開發關注可靠性與散熱性
家電中應用的功率半導體，器件小型化、更高可靠性和良好散熱性將是非常重要的特性。
“如何在保證溫升小（功耗小）的基礎上，實現更高的能源轉換效率是功率半導體技術開發的主題。”而功率半導體在家電中應用，小型化將是一個非常重要的特性。為此，很多功率半導體企業近年來在產品的小型化上，都下足了功夫。以改善關斷損耗對飽和壓降的折中比例，提高功率半導體的性能，減少電力損耗，達到節能效果。
1，降低熱阻
（1）熱阻Rth定義：器件工作時產生的熱量向外界散發的能力，℃/ W。即當器件消耗掉1W功率時其自身溫度升高的度數。
熱阻大小是代表功率器件品質優劣的一個重要參數。
（2）降低器件發熱量的三個基本途徑：
A， 優化電路設計，避免器件工作時進入放大區域，減少功率損耗；
B， 提高器件散熱能力，避免器件發熱失效；
C， 提高器件電流性能，降低相關飽和壓降。
在電路設計和芯片工藝都已經定型的條件下，提高器件散熱能力是避免器件發熱失效的**手段，重要途徑就是盡量降低器件的熱阻。
紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測工藝上的應用----
功率器件散熱問題的解決方案
測溫范圍： -20℃ ～ 900℃， 熱靈敏度： 0.04K / 0.08K
高分辨率： 382 x 288 像素， *快幀頻： 120Hz
顯微尺寸： 25μm（熱場分布）, 100μm（熱場溫度）
光學鏡頭： 標準鏡頭、望遠鏡頭、廣角鏡頭可選
高分辨率： 382 x 288 像素， *快幀頻： 120Hz
顯微尺寸： 25μm（熱場分布）, 100μm（熱場溫度）
光學鏡頭： 標準鏡頭、望遠鏡頭、廣角鏡頭可選
